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垂直集成氮化镓结构有助Micro LED发展

2019-03-15 来源:Janice译 编辑:ledcax 浏览量:18

美国罗彻斯特理工学院(Rochester Institute of Technology)的研究者新设计出一种垂直集成氮化镓 LED 结构,有助于提高 Micro LED 显示器的效率。

罗彻斯特理工学院的马修(Matthew Hartensveld)和张敬(音译,Jing Zhang)在 IEEE Electron Device Letter 期刊上发表了一项研究,描述了他们将纳米线氮化镓场效电晶体(field-effect transistors,简称“FETs”)和氮化铟镓 LED 集成在一起的方法。在这个有创意的新结构中,电晶体被放置在 LED 下面以实现控和调光。

图片来源:罗彻斯特理工学院Hartensveld和Zhang

据悉,研究员通过结合电晶体和 LED,创造出一个紧凑的结构,且造过程简易。在改善Micro LED 显示器发展方面,这个新设计的结构是一个性价比更高的选择。

研究表,新结构中,一个区域可放置更多的 LED,因此,像素密度和分辨率皆更高。由于像素尺寸变小,像素密度变大,这对于发展 Micro LED 显示器有很大的帮助。

但是,目前垂直设计的局限性在于关闭 LED 需要一个负电压,对此,研究者正在努力改进中。

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