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     2019年11月25-27日,第十六届中国国际半导体论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)将在深圳会展中心举行。作为论坛的重要组成部分,“固态紫外器件技术”主题会议将在27日上午六层水仙厅召开。届时,中微半导体设备(上海)股份有限公司主任工艺工程师胡建正博士将分享《基于中微Prismo HiT3TM MOCVD设备的深紫外LED结构优化》主题报告。
    胡建正博士现任中微半导体设备(上海)股份有限公司主任工艺工程师。2008年毕业于韩国知大学材料系新材料工学专业,主要研究基于GaN材料的LED器件设计、性能及可靠性分析。荣获2006年度国家优秀留学生奖。2008~2012就职于上海蓝宝光电材料有限公司,在各种量产型MOCVD设备开发蓝绿光LED的工艺并导入大规模生产。2012年加入中微半导体设备有限公司,任职主任工艺工程师,主要参与进行了中微第一代、第二代蓝绿光以及深紫外MOCVD的设计、工艺开发及客户技术支持。在国际主要学术期刊及会议发表十多篇论文。
 
    中微半导体设备(上海)股份有限公司(证券简称:“中微公司”,证券代码:688012)是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司,为全球集成电路和LED芯片造商提供极具竞争力的高端设备和高质量的服务。中微公司基于在半导体装备产业多年耕耘积累的专业技术,涉足半导体芯片前端造、先进封装、LED生产、MEMS造以及其他微观程的高端设备领域,瞄准世界科技前沿,坚持自主创新。中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从65纳米到5纳米工艺的众多刻蚀应用,中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备已在客户生产线上投入量产,2018年公司在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。
    其中,中微具有自主知识产权的MOCVD设备Prismo HiT3TM,是适用于高质量氮化铝和高铝组分材料生长的关键设备。中微高温MOCVD设备Prismo HiT3专为深紫外LED量产而设计,是目前业内紫外LED产能最高的高温MOCVD设备之一。
 
    同时,第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势,展现出巨大的应用潜力。分会面向全球广泛征集优秀研究成果,届时中微公司胡建正博士将与厦门大学教授康俊勇,中科院半导体所研究员、半导体研发中心主任王军喜,挪威科学技术大学教授、挪威科学技术院院士Helge WEMAN,台湾交通大学特聘教授郭浩中,南京大学教授陆海,河北工业大学教授张紫辉,上海大学教授、Ultratrend Technologies Inc总裁吴亮等多名国际知名与专家一起探讨分享紫外发光和探测领域在材料、器件、封装及应用等各层面的国内外最新进展。
 
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